Միկրոէլեկտրոնիկայի
զար•ացման
առաջընթացի պահպանման դեպքում ամբողջ սիլիցիումային տեխնոլո•իան
մոտ 10-15 տարի հետո կբախվի սկզբունքային բնույթի խնդիրների հետ:
Ինֆորմացիայի մշակման համակար•երի արա•ա¬•ործությունը, ինտե•րման
խտությունը, հիշողության ծավալները և այլ բնութա•րեր կհասնեն ֆիզիկայի`
մեզ հայտնի օրենքներով որոշվող որոշ ՙսկզբունքային՚ սահման¬ների ու
փակուղու: Իրենց հերթին •ոյություն ունեցող սահմանափակումները խթանում և
նպաստում են նոր •իտական հետազոտությունների, տեխնոլո•իաների և սարքային
կառուց¬վածքների առաջատար մշակումների կատարելա•ործմանը, ինչը թույլ կտա
հաղթահարել, կամ էլ շրջանցել առաջ եկող անխուսափելի դժվարությունները: