| Статистика |
Онлайн всего: 1 Гостей: 1 Пользователей: 0 |
|
В категории материалов: 3
Показано материалов: 1-3 |
|
Сортировать по:
Дате ·
Названию ·
Рейтингу ·
Комментариям ·
Загрузкам ·
Просмотрам
|
Միկրոէլեկտրոնիկայի
զար•ացման
առաջընթացի պահպանման դեպքում ամբողջ սիլիցիումային տեխնոլո•իան
մոտ 10-15 տարի հետո կբախվի սկզբունքային բնույթի խնդիրների հետ:
Ինֆորմացիայի մշակման համակար•երի արա•ա¬•ործությունը, ինտե•րման
խտությունը, հիշողության ծավալները և այլ բնութա•րեր կհասնեն ֆիզիկայի`
մեզ հայտնի օրենքներով որոշվող որոշ ՙսկզբունքային՚ սահման¬ների ու
փակուղու: Իրենց հերթին •ոյություն ունեցող սահմանափակումները խթանում և
նպաստում են նոր •իտական հետազոտությունների, տեխնոլո•իաների և սարքային
կառուց¬վածքների առաջատար մշակումների կատարելա•ործմանը, ինչը թույլ կտա
հաղթահարել, կամ էլ շրջանցել առաջ եկող անխուսափելի դժվարությունները: |
|
50Հց- ից 400 Հց հաճախականության ստատիկական ձևափոխիչ լարման ավտոմատ
կարգավորումով |
|
|
